Thermal Oxidation
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Thermal Oxidation 방식 : Wet (1,000Å-수십um), Dry(500Å- 3,000Å), Clean Oxide(500Å- 1um)
Uniformity
In-Wafer : 2%이내 (HCl 을 사용하는 Clean Oxide는 1%이내 관리)
Wafer to Wafer : 3%이내 관리
사용 가능 Wafer Size 및 Min수량 : 4" ,5", 6", 8" ( 4"~8" Min 25장)
Delivery
1주일이내 (필요하신 두께에 따라 조금씩 차이가 있습니다.)
Certification Sheet 제공 , Air Zero Packing
Process Flow Chart
Wafer appearance check → Clean before process(H2SO4 boil , SC1 ,SC2 , DI 17MΩ/cm2) → Thermal Oxidation → Thickness Monitor and Uniformity Check → Air Zero Packing
SiO2 Property
| Property
(Units) |
Value |
Property
(Units) |
Value |
| Density
(g/cm3) |
2.27 |
Melting
point (℃) |
=1700 |
| Dielectric
Constant |
3.9 |
Molecular
Weight |
60.08 |
| DC
resistivity@250℃ |
10E16 |
Molecules/cm3 |
2.3
x 10E22 |
| Energy
gap (ev) |
=9 |
Specific
heat (J/g℃) |
1.0
(J/g℃) |
| Thermal
Conductivity (W/cm2℃) |
0.014 |
Film
Stress @25℃ |
2-4
x 10E18 dyne/cm2 |
| Linear
expansion (ppm/℃) |
0.05 |
IR
absorption peak (mm) |
9.3 |
| Refractive
index |
1.46 |
Etch
rate BHF(49%) nm/min |
100
(nm/min) |
SiO2 Thickness 별 Color
* 모니터 해상도에 따라 색상의 차이가 있을 수 있습니다.
| Film Thickness (Å) |
Color |
Film Thickness (Å) |
Color |
| 1,000 |
Dark violet to red violet |
7,200 |
Blue green to green (quite broad) |
| 2,000 |
Light gold or yellow ; slightly metallic |
8,000 |
Orange
(rather broad for orange) |
| 3,000 |
Blue to violet blue |
9,200 |
Blue green |
| 4,100 |
Light orange |
1um |
Carnation pink |
| 5,000 |
Blue green |
1.21um |
Violet red |
| 6,000 |
Carnation pink |
1.5um |
Blue |
Thickness 측정 방법
한 캐리어의 25장 중 #1, #5, #10, #15, #20, #25번을 각 장마다 Top, Bottom, Left, Right, Center 5포인트 측정을 원칙으로 합니다.
* In-Wafer
: 2%이내 (HCl 을 사용하는 Clean Oxide는 1%
이내 관리,Wafer to Wafer : 3%이내를 기준으로 하고
있습니다.
* 한 웨이퍼의 평균 두께치 (Å)
= C의두께+T의두께+B의두께+L의두께+R의두께 / 5
* 한 웨이퍼의 Uniformity (%)
= (C,T,B,L,R중 최대치 두께-최저치 두께/ 2 x 한 웨이퍼
의 평균 두께치)x100
